MRF5P21180HR6
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
2200
5
15
2080
--45
40
IRL
Gps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2--Carrier W--CDMA Broadband Performance
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
= 28 Vdc, Pout
= 38 W (Avg.), IDQ
= 1600 mA
25
2--Carrier W--CDMA, 10 MHz Carrier Spacing
3.84 MHz Channel Bandwidth
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
--30
--10
--15
--20
--25
INPUT RETURN LOSS (dB)
IRL,
--35
14
35
13
30
12
11
20
10
--20
9
--25
8
--30
7
--35
6
--40
2100 2120 2140 2160 2180
300
12.5
15
20
IDQ
= 2400 mA
2000 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 4. Two--Tone Power Gain versus
Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
= 28 Vdc
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two--Tone Measurement, 10 MHz Tone Spacing
800 mA
1600 mA
1200 mA
14.5
14
13.5
13
40 60 80 100 200
300
--50
--20
20
IDQ
= 800 mA
2400 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 5. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
VDD
= 28 Vdc
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two--Tone Measurement, 10 MHz Tone Spacing
--25
--30
--35
--40
--45
40 60 80 100 200
2000 mA
1200 mA
1600 mA
1 10 20
30
--60
--20
0.1
7th Order
TWO--TONE SPACING (MHz)
Figure 6. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD,
VDD
= 28 Vdc, Pout
= 170 W (PEP), IDQ
= 1600 mA
Two--Tone Measurements
(f1+f2)/2 = Center Frequency of 2140 MHz
--25
--30
--35
--40
--45
--50
--55
5th Order
3rd Order
42
58
30
Actual
P3dB = 53.72 dBm (236 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
Figure 7. Pulse CW Output Power versus
Input Power
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
VDD
= 28 Vdc, IDQ
= 1600 mA
Pulsed CW, 8
μsec(on), 1 msec (off)
f = 2140 MHz
Ideal
P1dB = 52.99 dBm (199 W)
56
54
52
50
48
46
44
32 34 36 38 40 42
ηD
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
INTERMODULATION DISTORTION (dBc)
IMD, THIRD ORDER
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